Tuần qua, Intel đã tiết lộ một số thông tin về công nghệ, quy trình chế tạo silicon mới nhất của mình, SuperFin 10 nm.
Với điều này, công ty đang thay đổi tên gọi cho các công nghệ mới, từ sơ đồ ## nm ++ (với mỗi “+” biểu thị một quy trình lọc hoặc lóng), sang một sơ đồ được gọi tên bằng mô tả nhiều hơn. Nút SuperFin 10nm mới là sự cải tiến đầu tiên của nút 10nm, đã ra mắt với bộ vi xử lý “Ice Lake” thế hệ thứ 10 của công ty vào năm ngoái, và hứa hẹn một sự cạnh tranh trong công nghệ “tiến trình 7nm” với các đối thủ cạnh tranh TSMC và Samsung.
Theo Intel, trong khi các thế hệ nút trước đây mang lại hiệu quả năng lượng cải thiện khoảng 3-5%, SuperFin 10nm được mong đợi sẽ cung cấp một phiên bản hoàn toàn mới.
Nút SuperFin 10nm bao gồm hai cải tiến chính, tụ điện SuperMIM và bán dẫn FinFET được thiết kế lại. Tụ điện SuperMIM mới sẽ cung cấp điện dung tăng gấp 5 lần so với các thiết bị cùng loại. FinFET mới cũng được giới thiệu một rào cản mới giúp giảm lực cản qua 30%. Kết hợp lại, nút SuperFin 10 nm cung cấp cho chip một đường cong V/F có thể so sánh như một “die-shrink” của một nút chế tạo silicon hoàn toàn mới mà không có bất kỳ sự thay đổi nào về mật độ bóng bán dẫn.
Sản phẩm đầu tiên được xây dựng trên nền tảng SuperFin 10nm là bộ vi xử lý Core “Tiger Lake” sắp ra mắt. Intel đang nghiên cứu các cải tiến của quy trình này sao cho phù hợp với các bộ xử lý trung tâm dữ liệu hiện thời.
Nguồn: TechPowerUp.
Tiến trình 10nm + mới trên Intel Core thế hệ 11 Tiger Lake sẽ đi kèm 2 nâng cấp đáng giá
